喜 报 一

浙江芯科半导体6英寸SiC JBS芯片实现规模量产

  为争分夺秒抢抓市场机遇，5月离子注入机就位前夕，公司就组织各大核心骨干领衔的4大工艺小组，以全面打通生产工艺流程，实现产品规模化量产为目的，开展了以设备调试、程式调整、工艺管理、质量管理、数据分析、物料管理、设备维护、安全管理和技术培训为核心的系列工作。

  经过外延、光刻、高温注入、激活退火、背面减薄、激光退火等关键工艺的联调联试，我们于 2023年7 月 12 日成功试制首批6英寸1200V SiC JBS 晶圆样品。经检测，样品性能优良，良品率超过95%，综合成本低于市场平均水平30%，综合参数已达业内领先水平，验证了工艺技术路线的正确性，标志着浙江芯科半导体具备了SiC JBS功率器件大规模量产能力，即将为行业头部企业供货！

  与此同时，我们的 MOSFET良品率也取得了显著提升，无限接近量产。我们将进一步提升产品良率和产能，尽快启动新基地开工，打造为大客户大规模供货的能力。

  祝贺研发和工程技术团队取得的成绩，同时感谢工程团队、厂务团队和公司各业务职能部门的通力合作，公司上下齐头并进，积极配合，以最快速度实现JBS量产，推动着公司高速发展！

喜 报 二

李京波董事长当选俄罗斯工程院外籍院士

  因在第三代半导体尤其是碳化硅沟槽式功率芯片领域的突出研究成果和卓越贡献，2023年7月，浙江大学求是教授、芯科半导体董事长李京波当选俄罗斯工程院外籍院士。

  新当选的外籍院士由俄罗斯工程院通过形式审查、材料审核、会议答辩评审、主席团选举审议等流程严格评选。日前，俄罗斯工程院院长B.V.Gusev致函李京波，祝贺他当选外籍院士，希望他为中俄两国的持续发展开展更多富有成效的科技合作：

      俄罗斯工程院成立于1990年，是具有重要国际学术影响力的科学机构和全俄公共组织，其前身为苏联工程院，是由俄罗斯科学院、俄罗斯工科部、国防部、航天航空署等部门联合成立的跨行业科学机构，现有院士1500余位，其中外籍院士200余位。